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MT47H64M16HR集成電路（IC）的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

MT47H64M16HR
廠商型號

MT47H64M16HR
參數(shù)屬性

MT47H64M16HR 封裝/外殼為84-TFBGA；包裝為卷帶（TR）；類別為集成電路（IC）的存儲器；產(chǎn)品描述：IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
功能描述

DDR2 SDRAM MT47H256M4 ??32 Meg x 4 x 8 banks MT47H128M8 ??16 Meg x 8 x 8 banks MT47H64M16 ??8 Meg x 16 x 8 banks
封裝外殼

84-TFBGA
文件大小

9.29855 Mbytes
頁面數(shù)量

134 頁
生產(chǎn)廠商 Micron Technology
企業(yè)簡稱

Micron【鎂光】

中文名稱

美國鎂光科技有限公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-10 22:59:00
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MT47H64M16HR規(guī)格書詳情

DDR2 SDRAM

MT47H256M4 – 32 Meg x 4 x 8 banks

MT47H128M8 – 16 Meg x 8 x 8 banks

MT47H64M16 – 8 Meg x 16 x 8 banks

Features

? VDD = 1.8V ±0.1V, VDDQ = 1.8V ±0.1V

? JEDEC-standard 1.8V I/O (SSTL_18-compatible)

? Differential data strobe (DQS, DQS#) option

? 4n-bit prefetch architecture

? Duplicate output strobe (RDQS) option for x8

? DLL to align DQ and DQS transitions with CK

? 8 internal banks for concurrent operation

? Programmable CAS latency (CL)

? Posted CAS additive latency (AL)

? WRITE latency = READ latency - 1 tCK

? Selectable burst lengths (BL): 4 or 8

? Adjustable data-output drive strength

? 64ms, 8192-cycle refresh

? On-die termination (ODT)

? Industrial temperature (IT) option

? Automotive temperature (AT) option

? RoHS-compliant

? Supports JEDEC clock jitter specification

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    MT47H64M16HR-187E

  • 制造商：

    Micron Technology Inc.

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    DRAM

  • 技術(shù)：

    SDRAM - DDR2

  • 存儲容量：

    1Gb（64M x 16）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    15ns

  • 電壓 - 供電：

    1.7V ~ 1.9V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 85°C（TC）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    84-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    84-FBGA（8x12.5）

  • 描述：

    IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
micron(鎂光)
23+
標準封裝
15048
全新原裝正品/價格優(yōu)惠/質(zhì)量保障
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2016+
BGA
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