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MT47H64M8JN-25E:G_集成電路（IC） 存儲器-Micron Technology Inc.

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1+
  • 廠家型號：

    MT47H64M8JN-25E:G

  • 制造商：

    Micron Technology Inc.

  • 庫存數(shù)量：

    0

  • 類別：

    集成電路（IC） 存儲器

  • 封裝外殼：

    60-TFBGA

  • 包裝：

    散裝

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 更新時間：

    2024-11-7 14:10:00

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原廠料號：MT47H64M8JN-25E:G品牌：Micron Technology Inc.

資料說明：IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA

MT47H64M8JN-25E:G是集成電路（IC） > 存儲器。制造商Micron Technology Inc.生產(chǎn)封裝60-TFBGA的MT47H64M8JN-25E:G存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

  • 芯片型號：

    mt47h64m8jn-25e:g

  • 規(guī)格書：

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  • 資料說明：

    IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    MT47H64M8JN-25E

  • 制造商：

    Micron Technology Inc.

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    散裝

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    DRAM

  • 技術(shù)：

    SDRAM - DDR2

  • 存儲容量：

    512Mb（64M x 8）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    15ns

  • 電壓 - 供電：

    1.7V ~ 1.9V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 85°C（TC）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    60-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    60-FBGA（8x10）

  • 描述：

    IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
MICRON
2011+
FBGA
1022
進(jìn)口原裝優(yōu)勢熱賣
 詢價
micron(鎂光)
23+
標(biāo)準(zhǔn)封裝
12048
全新原裝正品/價格優(yōu)惠/質(zhì)量保障
 詢價
MICRON
22+
原廠封裝
21055
原裝正品，實單請聯(lián)系
 詢價
MICRON/美光
22+
NA
3000
支持任何機構(gòu)檢測 只做原裝正品
 詢價
MICRON/美光
BGA
6000
原裝現(xiàn)貨長期供貨賬期支持
 詢價
Micron Technology Inc.
21+
165-LBGA
5280
進(jìn)口原裝!長期供應(yīng)!絕對優(yōu)勢價格(誠信經(jīng)營
 詢價
MICRON
2023+
BGA
80000
一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢 十年芯程一路只做原裝正品
 詢價
MICRON
21+
BGA
35200
一級代理/放心采購
 詢價
MICRON
20+
BGA-60
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MICRON
22+
BGA
28600
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