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MT47H64M8SH-25E IT:H TR_集成電路（IC） 存儲器-Micron Technology Inc.

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1+
  • 廠家型號：

    MT47H64M8SH-25E IT:H TR

  • 制造商：

    Micron Technology Inc.

  • 庫存數(shù)量：

    0

  • 類別：

    集成電路（IC） 存儲器

  • 封裝外殼：

    60-TFBGA

  • 包裝：

    托盤

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 更新時間：

    2024-12-26 10:30:00

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原廠料號：MT47H64M8SH-25E IT:H TR品牌：Micron Technology Inc.

資料說明：IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA

MT47H64M8SH-25E IT:H TR是集成電路（IC） > 存儲器。制造商Micron Technology Inc.生產(chǎn)封裝60-TFBGA的MT47H64M8SH-25E IT:H TR存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

  • 芯片型號：

    mt47h64m8sh-25e%20it:h%20tr

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 資料說明：

    IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    MT47H64M8SH-25E IT

  • 制造商：

    Micron Technology Inc.

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    DRAM

  • 技術(shù)：

    SDRAM - DDR2

  • 存儲容量：

    512Mb（64M x 8）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    15ns

  • 電壓 - 供電：

    1.7V ~ 1.9V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 95°C（TC）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    60-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    60-FBGA（8x10）

  • 描述：

    IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Micron
22+
60FBGA (8x10)
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價
Micron
23+
60FBGA (8x10)
9000
原裝正品，支持實單
 詢價
Micron
17+
FBGA
6200
詢價
MICRON
FBGA
1259
正品原裝--自家現(xiàn)貨-實單可談
 詢價
MICRON
2016+
FBGA
9000
只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票!
 詢價
Micron
1701+
DDR264Mx8PC800
12500
只做原裝進(jìn)口,假一罰十
 詢價
Micron
19+
FBGA60
86018
原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠；
 詢價
Micron
1825+
FBGA
6528
科恒偉業(yè)!只做原裝正品假一賠十!
 詢價
Micron
24+
FBGA
50000
專營Micron全線品牌假一賠萬原裝進(jìn)口貨可開增值稅發(fā)票
 詢價
MICRON
23+
BGA
8560
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 詢價

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