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MT4LC4M16R6TG-6

DRAM

MicronMicron Technology

鎂光美國(guó)鎂光科技有限公司

MT4LC4M16R6TG-6

DRAM

GENERALDESCRIPTION The4Megx16DRAMisahigh-speedCMOS,dynamicrandom-accessmemorydevicecontaining67,108,864bitsanddesignedtooperatefrom3Vto3.6V.Thedeviceisfunctionallyorganizedas4,194,304locationscontaining16bitseach.The4,194,304memorylocationsarearrangedin

MicronMicron Technology

鎂光美國(guó)鎂光科技有限公司

MT4LC4M16R6TG-6S

DRAM

GENERALDESCRIPTION The4Megx16DRAMisahigh-speedCMOS,dynamicrandom-accessmemorydevicecontaining67,108,864bitsanddesignedtooperatefrom3Vto3.6V.Thedeviceisfunctionallyorganizedas4,194,304locationscontaining16bitseach.The4,194,304memorylocationsarearrangedin

MicronMicron Technology

鎂光美國(guó)鎂光科技有限公司

MT4LC4M16R6TG-6S

DRAM

MicronMicron Technology

鎂光美國(guó)鎂光科技有限公司

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更多MT4LC4M16R6TG-6ET供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-2 11:00:00

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