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MT53B512M32D2GZ-062 WT ES:B_集成電路（IC） 存儲器-Micron Technology Inc.

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  • 廠家型號：

    MT53B512M32D2GZ-062 WT ES:B

  • 制造商：

    Micron Technology Inc.

  • 庫存數(shù)量：

    0

  • 類別：

    集成電路（IC） 存儲器

  • 封裝外殼：

    200-WFBGA

  • 包裝：

    托盤

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 更新時間：

    2025-1-3 15:34:00

  • 詳細信息
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原廠料號：MT53B512M32D2GZ-062 WT ES:B品牌：Micron Technology Inc.

資料說明：IC DRAM 16GBIT 1600MHZ 200WFBGA

MT53B512M32D2GZ-062 WT ES:B是集成電路（IC） > 存儲器。制造商Micron Technology Inc.生產封裝200-WFBGA的MT53B512M32D2GZ-062 WT ES:B存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設備的半導體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

  • 芯片型號：

    mt53b512m32d2gz-062%20wt%20es:b

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 資料說明：

    IC DRAM 16GBIT 1600MHZ 200WFBGA

產品屬性

  • 類型

    描述

  • 產品編號：

    MT53B512M32D2GZ-062 WT ES

  • 制造商：

    Micron Technology Inc.

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    DRAM

  • 技術：

    SDRAM - Mobile LPDDR4

  • 存儲容量：

    16Gb（512M x 32）

  • 電壓 - 供電：

    1.1V

  • 工作溫度：

    -30°C ~ 85°C（TC）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    200-WFBGA

  • 供應商器件封裝：

    200-WFBGA（11x14.5）

  • 描述：

    IC DRAM 16GBIT 1600MHZ 200WFBGA

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Micron
22+
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價
MICRON/美光
24+
NA
20000
美光專營原裝正品
 詢價
MICRON
20+
IC
1001
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Micron
2022+
原廠原包裝
8600
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
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Micron
23+
提供BOM配單服務
36500
原裝正品現(xiàn)貨庫存QQ:2987726803
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Micron Technology Inc.
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