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MT53E512M32D2NP-046 WT:F TR_集成電路（IC） 存儲器-Micron Technology Inc.

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2000+
  • 廠家型號：

    MT53E512M32D2NP-046 WT:F TR

  • 制造商：

    Micron Technology Inc.

  • 庫存數(shù)量：

    0

  • 類別：

    集成電路（IC） 存儲器

  • 封裝外殼：

    200-WFBGA

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 更新時間：

    2025-1-18 8:02:00

  • 詳細信息
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原廠料號：MT53E512M32D2NP-046 WT:F TR品牌：Micron Technology Inc.

資料說明：LPDDR4 16G 512MX32 FBGA DDP

MT53E512M32D2NP-046 WT:F TR是集成電路（IC） > 存儲器。制造商Micron Technology Inc.生產(chǎn)封裝200-WFBGA的MT53E512M32D2NP-046 WT:F TR存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設備的半導體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

  • 芯片型號：

    mt53e512m32d2np-046%20wt:f%20tr

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 資料說明：

    LPDDR4 16G 512MX32 FBGA DDP

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    MT53E512M32D2NP-046 WT

  • 制造商：

    Micron Technology Inc.

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    DRAM

  • 技術：

    SDRAM - Mobile LPDDR4

  • 存儲容量：

    16Gb（512M x 32）

  • 電壓 - 供電：

    1.1V

  • 工作溫度：

    -30°C ~ 85°C（TC）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    200-WFBGA

  • 供應商器件封裝：

    200-WFBGA（10x14.5）

  • 描述：

    LPDDR4 16G 512MX32 FBGA DDP

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Micron Technology Inc.
21+
78-VFBGA
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