MT53E512M64D2NW-046 WT:B TR_集成電路（IC） 存儲器-Micron Technology Inc.

原廠料號：MT53E512M64D2NW-046 WT:B TR品牌：Micron Technology Inc.

資料說明：IC MEMORY DRAM 32G 512MX64 FBGA

MT53E512M64D2NW-046 WT:B TR是集成電路（IC） > 存儲器。制造商Micron Technology Inc.生產(chǎn)封裝432-VFBGA的MT53E512M64D2NW-046 WT:B TR存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

• 芯片型號：

  mt53e512m64d2nw-046%20wt:b%20tr

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• 資料說明：

  IC MEMORY DRAM 32G 512MX64 FBGA