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GENERAL DESCRIPTION
The MT5C1008 SRAM employs high-speed, low power CMOS designs using a four-transistor memory cell, and are fabricated using double-layer metal, double-layer polysilicon technology.
FEATURES
? High Speed: 12, 15, 20, 25, 35, 45, 55 and 70 ns
? Battery Backup: 2V data retention
? Low power standby
? High-performance, low-power CMOS process
? Single +5V (+10) Power Supply
? Easy memory expansion with CE1, CE2, and OE options.
? All inputs and outputs are TTL compatible
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
MT5C1008C-12L
- 制造商：
AUSTIN
- 制造商全稱：
Austin Semiconductor
- 功能描述：
128K x 8 SRAM WITH DUAL CHIP ENABLE AVAILABLE AS MILITARY SPECIFICATIONS
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ASI |
23+ |
DIP |
4500 |
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詢價(jià) | ||
MICROSS |
22+ |
CDIP32 |
100 |
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詢價(jià) | ||
MICROSS |
NA |
699839 |
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詢價(jià) | |||
Micross/ASI |
22+23+ |
BGA |
19520 |
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詢價(jià) | ||
MICROSS |
589220 |
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詢價(jià) | ||||
ASI |
23+ |
CDIP |
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詢價(jià) | ||
MICROSS |
24+ |
NA |
11000 |
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MICROSS |
22+ |
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1900 |
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MICROSS |
2115 |
NA |
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MICROSS |
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詢價(jià) |
