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MT5C1008EC-12中文資料AUSTIN數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

MT5C1008EC-12
廠商型號(hào)

MT5C1008EC-12

功能描述

128K x 8 SRAM WITH DUAL CHIP ENABLE AVAILABLE AS MILITARY SPECIFICATIONS

文件大小

187.15 Kbytes

頁面數(shù)量

17

生產(chǎn)廠商 Austin Semiconductor
企業(yè)簡稱

AUSTIN

中文名稱

Austin Semiconductor官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-1-21 23:00:00

MT5C1008EC-12規(guī)格書詳情

GENERAL DESCRIPTION

The MT5C1008 SRAM employs high-speed, low power CMOS designs using a four-transistor memory cell, and are fabricated using double-layer metal, double-layer polysilicon technology.

FEATURES

? High Speed: 12, 15, 20, 25, 35, 45, 55 and 70 ns

? Battery Backup: 2V data retention

? Low power standby

? High-performance, low-power CMOS process

? Single +5V (+10) Power Supply

? Easy memory expansion with CE1, CE2, and OE options.

? All inputs and outputs are TTL compatible

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    MT5C1008EC-12

  • 制造商:

    AUSTIN

  • 制造商全稱:

    Austin Semiconductor

  • 功能描述:

    128K x 8 SRAM WITH DUAL CHIP ENABLE AVAILABLE AS MILITARY SPECIFICATIONS

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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