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GENERAL DESCRIPTION
The MT5C1008 SRAM employs high-speed, low power CMOS designs using a four-transistor memory cell, and are fabricated using double-layer metal, double-layer polysilicon technology.
FEATURES
? High Speed: 12, 15, 20, 25, 35, 45, 55 and 70 ns
? Battery Backup: 2V data retention
? Low power standby
? High-performance, low-power CMOS process
? Single +5V (+10%) Power Supply
? Easy memory expansion with CE1, CE2, and OE options.
? All inputs and outputs are TTL compatible
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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