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MTB15N06E	文件：231.14 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET15AMPERES	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTB15N06E	文件：332.38 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.12Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MTB15N06V	文件：332.39 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.12Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MTB15N06V	文件：279.85 Kbytes Page：11 Pages	PowerFieldEffectTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MTB15N06V	文件：274.79 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET15AMPERES TMOSV?PowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSPOWERFET12AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.18OHM TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesth	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTD15N06	文件：179.79 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET15AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.085OHM TMOSVPowerFieldEffectTransistorDPAKforSurfaceMount N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50and6	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTD15N06	文件：218.7 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET15AMPERES60VOLTS TMOSVPowerFieldEffectTransistorDPAKforSurfaceMount N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50and6	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTD15N06V	文件：1.00427 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
MTD15N06V	文件：230.52 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MTD15N06V	文件：218.7 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET15AMPERES60VOLTS TMOSVPowerFieldEffectTransistorDPAKforSurfaceMount N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50and6	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTD15N06VL	文件：179.79 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET15AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.085OHM TMOSVPowerFieldEffectTransistorDPAKforSurfaceMount N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50and6	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTD15N06VL	文件：273.42 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MTM15N06L	文件：164.09 Kbytes Page：5 Pages	POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTM15N06L	文件：261.37 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.15Ω(Max)@VGS=5V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MTP15N06	文件：279.43 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.16Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MTP15N06	文件：89.43 Kbytes Page：1 Pages	MTP15N05	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
MTP15N06L	文件：279.93 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.15Ω(Max)@VGS=5V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MTP15N06L	文件：164.09 Kbytes Page：5 Pages	POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTP15N06V	文件：205.63 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MTP15N06V	文件：163.98 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET15AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.12OHM TMOSPOWERFET15AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.12OHM NewFeaturesofTMOSV ?On–resistanceAreaProductaboutOne–halfthatofStandardMOSFETswithNewLowVoltage,LowRDS(on)Technology ?FasterSwitchingthanE–FETPredecessors FeaturesCommontoTMOSVandTMOSE–FETS ?Av	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
MTA15N06E
功能描述：
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 15A I(D) | SOT-186VAR

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	MTA15N06E	MOT	24+	N/A	1340		詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	MTA15N06其他三極管	MOTOROLA/摩托羅拉	23+	TO-220F	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
深圳廊盛科技有限公司	MTA15N06其他三極管	MOTOROLA/摩托羅拉	2022	TO-220F	80000	原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢	詢價(jià)
上海金慶電子技術(shù)有限公司	MTA1-5SL1-06		新		1	全新原裝貨期兩周	詢價(jià)
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	MTA160-18	PERSEMI	23+	DIP	15000	原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種	詢價(jià)
瀚佳科技(深圳)有限公司	MTA160A1600V	DACO	24+	MTA	2100	公司大量全新現(xiàn)貨隨時(shí)可以發(fā)貨	詢價(jià)
深圳市賽美科科技有限公司	MTA16ASF1G64AZ-2G6D1	MICRON		NA	999999	全新原裝正品一級(jí)代理假一罰十長期有貨	詢價(jià)
兆億微波(北京)科技有限公司	MTA16ATF1G64AZ-2G1	Micron			99		詢價(jià)
深圳市海天鴻電子科技有限公司	MTA16ATF1G64AZ-2G1A1	MICRON	1650+	?	11520	只做原裝進(jìn)口,假一罰十	詢價(jià)
深圳市鵬順微電子科技有限公司	MTA16ATF1G64AZ-2G1A1	Micron	2022+	原廠原包裝	8600	全新原裝支持表配單中國著名電子元器件獨(dú)立分銷	詢價(jià)

更多MTA15N06E供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-8 10:20:00

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