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MTB30N06VL	文件：264.82 Kbytes Page：10 Pages	N??hannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MTB30N06VL	文件：333 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=30A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.05Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MTP30N06E	文件：301.55 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=30A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=50mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MTP30N06E	文件：1.31369 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
MTP30N06VL	文件：207.72 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET30AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.050OHM TMOSV?PowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSPOWERFET12AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.18OHM TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesth	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
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NP30N06QDK	文件：616.87 Kbytes Page：9 Pages	60V??30A??DualN-channelPowerMOSFET	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NTB30N06	文件：72.83 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET30Amps,60Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
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NTB30N06L	文件：69.83 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET30Amps,60Volts,LogicLevel PowerMOSFET30Amps,60Volts,LogicLevel,N?ChannelTO?220andD2PAK Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsinpowersupplies,convertersandpowermotorcontrolsandbridgecircuits. Features ?Pb?FreePackagesareAvailable TypicalApplications ?PowerSupplies ?Co	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
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NTB30N06LG	文件：1.3212 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
NTD30N06	文件：259.94 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=35A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=31mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
NTP30N06	文件：72.83 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET30Amps,60Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NTP30N06L	文件：1.31343 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
NTP30N06L	文件：69.83 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET30Amps,60Volts,LogicLevel PowerMOSFET30Amps,60Volts,LogicLevel,N?ChannelTO?220andD2PAK Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsinpowersupplies,convertersandpowermotorcontrolsandbridgecircuits. Features ?Pb?FreePackagesareAvailable TypicalApplications ?PowerSupplies ?Co	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
MTA30N06E
制造商：
Rochester Electronics LLC
功能描述：
- Bulk
制造商：
ON Semiconductor

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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深圳市鵬和科技有限公司	MTA30N06E	ON	24+	TO-220F	5000	只做原裝公司現(xiàn)貨	詢價
深圳市振宏微科技有限公司	MTA30N06E	ON	23+	TO-220F	50000	專做原裝正品,假一罰百!	詢價
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	MTA30N06E	ON/安森美	23+	TO-220F	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價
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深圳廊盛科技有限公司	MTA30N06E	ON/安森美	2022	TO-220F	80000	原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢	詢價
深圳市匯萊威科技有限公司	MTA30N06E		ON	TO-220F	68900	原包原標(biāo)簽100%進口原裝常備現(xiàn)貨!	詢價
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	MTA30N06E	ON/安森美	23+	TO-220	15000	原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種	詢價
深圳市英瑞芯科技有限公司	MTA30N06E	MOTOROLA/摩托羅拉	2022+	NA	8600	原裝正品,歡迎來電咨詢!	詢價
深圳市美思瑞電子科技有限公司	MTA30N06E	MOTOROLA/摩托羅拉	22+	N/A	12245	現(xiàn)貨,原廠原裝假一罰十!	詢價

更多MTA30N06E供應(yīng)商更新時間2025-1-5 16:00:00

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