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MTP30N06E

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=30A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=50mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MTP30N06E

N-Channel60V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

MTP30N06VL

TMOSPOWERFET30AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.050OHM

TMOSV?PowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSPOWERFET12AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.18OHM TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesth

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTP30N06VL

N??hannelPowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MTP30N06VL

N-Channel60V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

NP30N06QDK

60V??30A??DualN-channelPowerMOSFET

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NTB30N06

PowerMOSFET30Amps,60Volts

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NTB30N06G

N-Channel60V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

NTB30N06G

PowerMOSFET30Amps,60Volts

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NTB30N06L

PowerMOSFET30Amps,60Volts,LogicLevel

PowerMOSFET30Amps,60Volts,LogicLevel,N?ChannelTO?220andD2PAK Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsinpowersupplies,convertersandpowermotorcontrolsandbridgecircuits. Features ?Pb?FreePackagesareAvailable TypicalApplications ?PowerSupplies ?Co

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

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更多MTB30N06VLG供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-26 11:06:00

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