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MTB50N06E

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=50A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.028Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MTB50N06EL

TMOS POWER FET LOGIC LEVEL 50 AMPERES 60 VOLTS

TMOSE-FETPowerFieldEffectTransistorsD2PAKforSurfaceMountLogicLevelTMOS(L2TMOS) N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TheseTMOSPowerFETsaredesignedforhighspeed,lowlosspowerswitchingapplicationssuchasswitchingregulators,converters,solenoidandrelaydrivers.This

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTB50N06EL

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=50A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.028Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MTB50N06V

TMOS POWER FET 42 AMPERES 60 VOLTS

TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50and60voltTMOSdevices.JustaswithourTMOSE–FETdesigns,TMOSVisdesignedtowithstandhighenergy

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTB50N06V

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=42A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.028Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MTB50N06VL

TMOS POWER FET 42 AMPERES 60 VOLTS

TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50and60voltTMOSdevices.JustaswithourTMOSE–FETdesigns,TMOSVisdesignedtowithstandhighenergy

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTB50N06V

N??hannel Power MOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MTB50N06VL

N??hannel Power MOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MTB50N06VLT4

N??hannel Power MOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MTB50N06VT4

N??hannel Power MOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    MTB50N06

  • 制造商：

    MOTOROLA

  • 制造商全稱(chēng)：

    Motorola, Inc

  • 功能描述：

    TMOS POWER FET LOGIC LEVEL 50 AMPERES 60 VOLTS

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
MOTOROLA/摩托羅拉
24+
TO-263
377
只做原廠渠道 可追溯貨源
 詢價(jià)
ON
24+
N/A
5000
公司存貨
 詢價(jià)
MOT
23+
TO-263
8650
受權(quán)代理!全新原裝現(xiàn)貨特價(jià)熱賣(mài)!
 詢價(jià)
MOT
22+23+
TO-263
27332
絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨
 詢價(jià)
MOTOROLA/摩托羅拉
23+
TO-263
30000
全新原裝現(xiàn)貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)
 詢價(jià)
O
23+
D2PAK
10000
公司只做原裝正品
 詢價(jià)
MOTOROLA/摩托羅拉
23+
TO-263
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價(jià)
MOTOROLA/摩托羅拉
2022
TO-263
80000
原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢
 詢價(jià)
MOTOROLA/摩托羅拉
2022+
TO-263
377
原廠代理 終端免費(fèi)提供樣品
 詢價(jià)
TH/韓國(guó)太虹
2048+
TO-263
9851
只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十!
 詢價(jià)
更多MTB50N06供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-26 16:36:00

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