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MTD1N50	文件：1.08606 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
MTD1N50E	文件：267.79 Kbytes Page：10 Pages	TMOS POWER FET 1.0 AMPERE 500 VOLTS RDS(on) = 5.0 OHM ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage–blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.InadditionthisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignal	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTD1N50E	文件：345.43 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=1A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=5Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconve	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MTD1N50E	文件：1.08605 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
MTD1N50E	文件：136.06 Kbytes Page：12 Pages	N??hannel Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MTD1N50E1	文件：136.06 Kbytes Page：12 Pages	N??hannel Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MTD1N50ET4	文件：136.06 Kbytes Page：12 Pages	N??hannel Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MTD1N50ET4G	文件：1.08609 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
MTD1N50T4G	文件：1.08607 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
MTP1N50	文件：300.71 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=1A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=8Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MTP1N50E	文件：78.28 Kbytes Page：8 Pages	N??hannelTO??20PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MTP1N50E	文件：159.26 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET1.0AMPERES500VOLTSRDS(on)=5.0OHM TMOSE?FETPowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage–blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhi	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
PHP1N50E	文件：21.1 Kbytes Page：4 Pages	PowerMOStransistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticenvelopefeaturinghighavalancheenergycapability,stableblockingvoltage,fastswitchingandhighthermalcyclingperformancewithlowthermalresistance.IntendedforuseinSwitchedModePowerSupplies	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PHX1N50E	文件：24.87 Kbytes Page：5 Pages	PowerMOStransistorIsolatedversionfoPHP1N50E GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinafullpack,plasticenvelopefeaturinghighavalancheenergycapability,stableblockingvoltage,fastswitchingandhighthermalcyclingperformancewithlowthermalresistance.IntendedforuseinSwitchedModePow	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
RM1N50	文件：200.41 Kbytes Page：2 Pages	Highvoltagelinear120/220V6Wfullvoltagefilamentlampsolution	REACTORShaanxi Reactor Microelectronics Co., Ltd. 亞成微陜西亞成微電子股份有限公司	REACTOR
RM1N50	文件：208.82 Kbytes Page：2 Pages	Highvoltagelinear120/220V50Wfullvoltagefloodlightsolution	REACTORShaanxi Reactor Microelectronics Co., Ltd. 亞成微陜西亞成微電子股份有限公司	REACTOR
RM1N50	文件：214.26 Kbytes Page：2 Pages	Highvoltagelinear120/220V10Wfullvoltagebulblampsolution	REACTORShaanxi Reactor Microelectronics Co., Ltd. 亞成微陜西亞成微電子股份有限公司	REACTOR
SSI1N50B	文件：600.21 Kbytes Page：9 Pages	520VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
SSP1N50A	文件：279.95 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SSP1N50B	文件：629.48 Kbytes Page：8 Pages	520VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
MTD1N50
制造商：
Motorola Inc

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	MTD1N50	ON	24+	N/A	1090		詢價(jià)
深圳市國(guó)宇半導(dǎo)體科技有限公司	MTD1N50	O	23+	DPAK	10000	公司只做原裝正品	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	MTD1N50	O	22+	DPAK	6000	十年配單,只做原裝	詢價(jià)
易創(chuàng)佳業(yè)科技（深圳）有限公司	MTD1N50	O	23+	DPAK	6000	原裝正品，支持實(shí)單	詢價(jià)
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	MTD1N50	O	22+	DPAK	25000	只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單	詢價(jià)
深圳市昌和盛利電子有限公司	MTD1N50E	ON	23+	TO-252	6893		詢價(jià)
深圳市勤思達(dá)科技有限公司	MTD1N50E	ON	12+	TO-252(DPAK)	15000	全新原裝,絕對(duì)正品,公司現(xiàn)貨供應(yīng)。	詢價(jià)
深圳市粵科源興科技有限公司	MTD1N50ET4	ON	13+		2172	原裝分銷	詢價(jià)
深圳市益百分電子有限公司	MTD1N50ET4	MOT	98+/99	SOT252	2900	全新原裝進(jìn)口自己庫(kù)存優(yōu)勢(shì)	詢價(jià)
上海專毅電子科技有限公司	MTD1N50ET4	MOT	17+	SOT252	9988	只做原裝進(jìn)口,自己庫(kù)存	詢價(jià)

更多MTD1N50供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-31 16:00:00

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