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MTD6N15中文資料摩托羅拉數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

MTD6N15
廠商型號

MTD6N15

功能描述

TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 150 VOLTS RDS(on) = 0.3 OHM

文件大小

231.95 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 Motorola, Inc
企業(yè)簡稱

Motorola摩托羅拉

中文名稱

加爾文制造公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-3-7 8:00:00

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MTD6N15規(guī)格書詳情

Power Field Effect Transistor DPAK for Surface Mount

N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate

This TMOS Power FET is designed for high speed, low loss power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid and relay drivers.

? Silicon Gate for Fast Switching Speeds

? Low RDS(on) — 0.3 ? Max

? Rugged — SOA is Power Dissipation Limited

? Source–to–Drain Diode Characterized for Use With Inductive Loads

? Low Drive Requirement — VGS(th) = 4.0 V Max

? Surface Mount Package on 16 mm Tape

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    MTD6N15

  • 制造商:

    Rochester Electronics LLC

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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