MTP3055V中文資料Motorola數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
MTP3055V規(guī)格書詳情
TMOS V? Power Field Effect Transistor
N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate
TMOS POWER FET 12 AMPERES 60 VOLTS RDS(on)= 0.15 OHM
TMOSV is a new technology designed to achieve an on–resistance area product about one–half that of standard MOSFETs. This new technology more than doubles the present cell density of our
50and 60 volt TMOS devices. Just as with our TMOSE–FET designs,TMOSV is designed to with stand high energy in the avalanche and commutation modes.
New Features of TMOS V
? On–resistance Area Product about One–half that of Standard
MOSFETs with New Low Voltage, Low RDS(on)Technology
? Faster Switching than E–FET Predecessors
Features Common to TMOS V and TMOS E–FETS
? Avalanche Energy Specified
? IDSSand VDS(on)Specified at Elevated Temperature
? Static Parameters are the Same for both TMOS V and TMOS E–FET
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
MTP3055V
- 功能描述：
MOSFET N-Channel FET Enhancement Mode
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MOTOROLA |
2016+ |
TO220 |
3000 |
只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票! |
詢價(jià) | ||
FAIRCHI |
2020+ |
TO-220 |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
20+ |
TO-220 |
38560 |
原裝優(yōu)勢主營型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票 |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO220-3 |
880000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
onsemi(安森美) |
23+ |
TO-220AB |
10000 |
只做原裝 假一賠萬 |
詢價(jià) | ||
FAIRCHILD |
23+ |
NA |
13650 |
原裝正品,假一罰百! |
詢價(jià) | ||
MOT |
TO220 |
9500 |
一級(jí)代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢長期供貨 |
詢價(jià) | |||
ON/安森美 |
23+ |
NA/ |
33 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價(jià) | ||
三年內(nèi) |
1983 |
納立只做原裝正品13590203865 |
詢價(jià) | ||||
ON |
23+ |
TO-220 |
1499 |
正規(guī)渠道,只有原裝! |
詢價(jià) |
