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MUN211分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-單預(yù)偏置規(guī)格書PDF中文資料

MUN211
廠商型號(hào)

MUN211
參數(shù)屬性

MUN211 封裝/外殼為TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-單預(yù)偏置；產(chǎn)品描述：TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC59
功能描述

Bias Resistor Transistor
TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC59
封裝外殼

TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
文件大小

236.97 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

12 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-10 19:17:00

晶體管資料

  • 型號(hào)：

    MUN2112

  • 別名：

    MUN211三極管、MUN211晶體管、MUN211晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-P+R

  • 性質(zhì)：

    表面帖裝型 （SMD）

  • 封裝形式：

    貼片封裝

  • 極限工作電壓：

    50V

  • 最大電流允許值：

    0.1A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號(hào)：

    MMUN2112

  • 最大耗散功率：

    0.4W

  • 放大倍數(shù)：

    β>60

  • 圖片代號(hào)：

    H-15

  • vtest：

    50

  • htest：

    999900

  • atest：

    0.1

  • wtest：

    0.4

MUN211規(guī)格書詳情

MUN211屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-單預(yù)偏置。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的MUN211晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置預(yù)偏置雙極晶體管具有內(nèi)部電阻器，設(shè)計(jì)用于在未施加輸入信號(hào)的情況下將器件保持在偏置或工作點(diǎn)附近。晶體管偏置可使晶體管更有效地工作，并產(chǎn)生穩(wěn)定、無失真的輸出信號(hào)。預(yù)偏置晶體管減少了所需的外部電路元器件數(shù)量，從而可降低項(xiàng)目成本。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    MUN2111T1G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    PNP - 預(yù)偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    35 @ 5mA，10V

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    250mV @ 300μA，10mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    500nA

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SC-59

  • 描述：

    TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC59

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ETL
23+
NA
39960
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