訂購數(shù)量 | 價(jià)格 |
---|---|
1+ |
首頁>MUN2131T1G>芯片詳情
MUN2131T1G 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書下載
原廠料號(hào):MUN2131T1G品牌:ON/安森美
正品渠道現(xiàn)貨 終端可提供BOM表配單。
MUN2131T1G是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置。制造商ON/安森美/onsemi生產(chǎn)封裝SOT-23/TO-236-3,SC-59,SOT-23-3的MUN2131T1G晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置預(yù)偏置雙極晶體管具有內(nèi)部電阻器,設(shè)計(jì)用于在未施加輸入信號(hào)的情況下將器件保持在偏置或工作點(diǎn)附近。晶體管偏置可使晶體管更有效地工作,并產(chǎn)生穩(wěn)定、無失真的輸出信號(hào)。預(yù)偏置晶體管減少了所需的外部電路元器件數(shù)量,從而可降低項(xiàng)目成本。
產(chǎn)品屬性
更多- 類型
描述
- 產(chǎn)品編號(hào):
MUN2131T1G
- 制造商:
onsemi
- 類別:
- 包裝:
卷帶(TR)
- 晶體管類型:
PNP - 預(yù)偏壓
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):
8 @ 5mA,10V
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):
250mV @ 5mA,10mA
- 電流 - 集電極截止(最大值):
500nA
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
SC-59
- 描述:
TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC59
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳深宇韜電子科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
江先生
- 手機(jī):
18002582204
- 詢價(jià):
- 電話:
0755-28014589
- 地址:
深圳市福田區(qū)深南大道與中航路交匯處世紀(jì)廣場(chǎng)2103
相近型號(hào)
- MUN2130T1
- MUN2130RT1
- MUN2132T3
- MUN2130
- MUN2133
- MUN2128
- MUN2133LT1
- MUN2123
- MUN2133LT1(6K)
- MUN2122T1G
- MUN2120
- MUN2133LT1G
- MUN2117T1G
- MUN2133RT1
- MUN2117LT1(6H)
- MUN2133T1
- MUN2116T1G
- MUN2133T1G
- MUN2116T1
- MUN2134
- MUN2116RT1
- MUN2134RT1
- MUN2116LT1(6F)
- MUN2134T1
- MUN2116
- MUN2134T1G
- MUN2115T1G
- MUN2135
- MUN2135T1G
- MUN2115T1
- MUN2136
- MUN2115RT1
- MUN2136T1
- MUN2115LT1G
- MUN2136T1G
- MUN2115LT1(6E)
- MUN2137T1
- MUN2115DW1T1
- MUN2115-(T1)
- MUN2137T1G
- MUN2115
- MUN2138T1G
- MUN2114T3
- MUN2139
- MUN2114T1G
- MUN2140
- MUN2140T1
- MUN2114-T1
- MUN2140T1G
- MUN2114T1