MUN5113DW1T1G 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 陣列 - 預(yù)偏置 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

原廠(chǎng)料號(hào)：MUN5113DW1T1G品牌：ON

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MUN5113DW1T1G是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 陣列 - 預(yù)偏置。制造商O(píng)N/onsemi生產(chǎn)封裝SOT363/的MUN5113DW1T1G晶體管 - 雙極（BJT）- 陣列 - 預(yù)偏置預(yù)偏置的雙極晶體管陣列包含兩個(gè)或更多雙極晶體管，同時(shí)電阻以可能有用的方式連接到每個(gè)晶體管；通常在每個(gè)晶體管的發(fā)射極和基極端子之間有一個(gè)電阻，同時(shí)有另一個(gè)電阻連接到每個(gè)晶體管的基極端子和器件封裝上的用戶(hù)可訪(fǎng)問(wèn)引腳。

• 芯片型號(hào)：

  MUN5113DW1T1G

• 規(guī)格書(shū)：

  下載 下載2

• 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

  ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

• 廠(chǎng)商全稱(chēng)：

  ON Semiconductor

• 中文名稱(chēng)：

  安森美半導(dǎo)體公司

• 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

  20 頁(yè)

• 文件大?。?/span>

  232.3 kb

• 資料說(shuō)明：

  Dual Bias Resistor Transistors