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MUN5233DW1T1G_ONSEMI/安森美半導(dǎo)體_開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT Dual NPN創(chuàng)新跡電子商

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  • 廠家型號(hào)：

    MUN5233DW1T1G

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    ONSEMI

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    9000

  • 產(chǎn)品封裝：

    SOT-363

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    2021+

  • 庫(kù)存類型：

    優(yōu)勢(shì)庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-24 14:00:00

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原廠料號(hào)：MUN5233DW1T1G品牌：ONSEMI

原裝現(xiàn)貨,隨時(shí)歡迎詢價(jià)

  • 芯片型號(hào)：

    MUN5233DW1T1G

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    20 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    216.54 kb

  • 資料說明：

    Dual Bias Resistor Transistors

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    MUN5233DW1T1G

  • 功能描述：

    開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT Dual NPN

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    ON Semiconductor

  • 晶體管極性：

    NPN/PNP

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    200 mA

  • 最大工作頻率：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    50 V

  • 集電極連續(xù)電流：

    150 mA

  • 功率耗散：

    200 mW

  • 封裝：

    Reel

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    楊小姐

  • 手機(jī)：

    13430590551

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    13430590551

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道福強(qiáng)社區(qū)華強(qiáng)北路1078號(hào)現(xiàn)代之窗A座、B座A座9D

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