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MURF20010R	文件：342.53 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Super Fast Recovery Diode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MURF20010R	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：散裝封裝/外殼：TO-244AB 類別：分立半導體產品二極管 - 整流器 - 陣列描述：DIODE MODULE 100V 100A TO244	GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor	GeneSiC Semiconductor
MURT20010	文件：389.93 Kbytes Page：2 Pages	HIGHPOWER-SUPERFASTRECTIFIERS	AMERICASEMI America Semiconductor, LLC	AMERICASEMI
MURT20010	文件：730.21 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MURT20010	文件：360.32 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
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MV20010	文件：154.63 Kbytes Page：2 Pages	GaAsVaractorDiodesAbruptJunction Description Microsemi’sGaAsabruptjunctionvaractorsarefabricatedfromepitaxiallayersgrownatMicrosemiusingChemicalVaporDeposition.ThelayersareprocessedusingproprietarytechniquesresultinginahighQfactorandveryrepeatabletuningcurves.Thediodesareavailableinavarie	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
PD20010-E	文件：240.84 Kbytes Page：13 Pages	RFpowertransistor,LdmoSTplasticfamilyN-channelenhancement-modelateralMOSFETs Description ThePD20010-EisacommonsourceN-Channel,enhancement-modelateralfield-effectRFpowertransistor.Itisdesignedforhighgain,broadbandcommercialandindustrialapplications.Itoperatesat13.6Vincommonsourcemodeatfrequenciesofupto1GHz.PD20010-Eboaststheexcell	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導體意法半導體（ST）集團	STMICROELECTRONICS
PD20010S-E	文件：240.84 Kbytes Page：13 Pages	RFpowertransistor,LdmoSTplasticfamilyN-channelenhancement-modelateralMOSFETs Description ThePD20010-EisacommonsourceN-Channel,enhancement-modelateralfield-effectRFpowertransistor.Itisdesignedforhighgain,broadbandcommercialandindustrialapplications.Itoperatesat13.6Vincommonsourcemodeatfrequenciesofupto1GHz.PD20010-Eboaststheexcell	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導體意法半導體（ST）集團	STMICROELECTRONICS
PD20010STR-E	文件：240.84 Kbytes Page：13 Pages	RFpowertransistor,LdmoSTplasticfamilyN-channelenhancement-modelateralMOSFETs Description ThePD20010-EisacommonsourceN-Channel,enhancement-modelateralfield-effectRFpowertransistor.Itisdesignedforhighgain,broadbandcommercialandindustrialapplications.Itoperatesat13.6Vincommonsourcemodeatfrequenciesofupto1GHz.PD20010-Eboaststheexcell	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導體意法半導體（ST）集團	STMICROELECTRONICS
PD20010TR-E	文件：240.84 Kbytes Page：13 Pages	RFpowertransistor,LdmoSTplasticfamilyN-channelenhancement-modelateralMOSFETs Description ThePD20010-EisacommonsourceN-Channel,enhancement-modelateralfield-effectRFpowertransistor.Itisdesignedforhighgain,broadbandcommercialandindustrialapplications.Itoperatesat13.6Vincommonsourcemodeatfrequenciesofupto1GHz.PD20010-Eboaststheexcell	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導體意法半導體（ST）集團	STMICROELECTRONICS
PNE20010ER	文件：251.25 Kbytes Page：13 Pages	200V,1Ahyperfastrecoveryrectifier	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導體(中國)有限公司	NEXPERIA
PNE20010ER-Q	文件：254.17 Kbytes Page：13 Pages	200V,1Ahyperfastrecoveryrectifier 1.Generaldescription Highpowerdensity,hyperfastrecoveryrectifierwithhigh-efficiencyplanartechnology, encapsulatedinasmallandflatleadSOD123WSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits ?ReversevoltageVR≤200V ?ForwardcurrentIF≤1A ?Hyp	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導體(中國)有限公司	NEXPERIA
PNE20010EXD	文件：253.27 Kbytes Page：13 Pages	200V,1Ahyperfastrecoveryrectifier 1.Generaldescription Highpowerdensity,hyperfastrecoveryrectifierwithhigh-efficiencyplanartechnology, encapsulatedinaCFP2-HP(SOD323HP)powerandflatleadSurface-MountedDevice(SMD) plasticpackage. 2.Featuresandbenefits ?Reversevoltage:VR≤200V ?Forwardcurrent:I	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導體(中國)有限公司	NEXPERIA
PNE20010EXD-Q	文件：252.48 Kbytes Page：13 Pages	200V,1Ahyperfastrecoveryrectifier 1.Generaldescription Highpowerdensity,hyperfastrecoveryrectifierwithhigh-efficiencyplanartechnology, encapsulatedinaCFP2-HP(SOD323HP)powerandflatleadSurface-MountedDevice(SMD) plasticpackage. 2.Featuresandbenefits ?Reversevoltage:VR≤200V ?Forwardcurrent:I	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導體(中國)有限公司	NEXPERIA
STD-20010T	文件：75.61 Kbytes Page：2 Pages	ADAPTER-18W	VOLGEN Volgen America/Kaga Electronics USA	VOLGEN
T-20010	文件：33.96 Kbytes Page：1 Pages	SCRTriggerandControlTransformers	RHOMBUS-IND Rhombus Industries Inc.	RHOMBUS-IND
UFT20010	文件：219.08 Kbytes Page：4 Pages	UltrafastRecoveryModules	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi

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產品屬性

產品編號：
MURF20010R
制造商：
GeneSiC Semiconductor
類別：
分立半導體產品 > 二極管 - 整流器 - 陣列
包裝：
散裝
二極管配置：
1 對共陽極
二極管類型：
標準
電流 - 平均整流 (Io)（每二極管）：
100A
速度：
快速恢復 =< 500ns，> 200mA（Io）
工作溫度 - 結：
-55°C ~ 150°C
安裝類型：
底座安裝
封裝/外殼：
TO-244AB
供應商器件封裝：
TO-244
描述：
DIODE MODULE 100V 100A TO244

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市艾宇欣科技有限公司	MURF20010R	GeneSiC	1935+	N/A	55	加我qq或微信，了解更多詳細信息,體驗一站式購物	詢價
深圳市科雨電子有限公司	MURF20010R	GENESIC	1809+	TO-244	96	就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件!	詢價
深圳市易訊博科技有限公司	MURF20010R	GeneSiC	22+	NA	55	加我QQ或微信咨詢更多詳細信息,	詢價
深圳市河鋒鑫科技有限公司	MURF20010R	GeneSiC Semiconductor	22+	TO244	9000	原廠渠道,現貨配單	詢價
深圳市宏捷佳電子科技有限公司	MURF20010R	GeneSiC Semiconductor	24+	TO-244AB	9350	獨立分銷商公司只做原裝誠心經營免費試樣正品保證	詢價
深圳市鵬和科技有限公司	MURF2020	SSG	24+	TO-220F	5000	全現原裝公司現貨	詢價
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深圳廊盛科技有限公司	MURF2020	SSG	2022	TO-220F	80000	原裝現貨,OEM渠道,歡迎咨詢	詢價
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更多MURF20010R供應商更新時間2024-10-24 10:18:00

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