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MURR20120FCT	文件：300.09 Kbytes Page：2 Pages	20.0 Ampere Insulated Dual Doubler Polarity Ultra Fast Recovery Rectifiers Features ※ThinkiSemilatest&maturedprocessFRD/FRED ※Lowforwardvoltagedrop ※Highcurrentcapability ※Lowreverseleakagecurrent ※Highsurgecurrentcapability Application ※AutomotiveInvertersandSolarInverters ※CarAudioAmplifiersandSoundDeviceSystems ※PlatingPowerS	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半導(dǎo)體思祁半導(dǎo)體有限公司	THINKISEMI
NDSH20120CDN	文件：290.5 Kbytes Page：6 Pages	SiliconCarbide(SiC)SchottkyDiode–EliteSiC,20A,1200V,D3,TO-247-3L Description SiliconCarbide(SiC)SchottkyDiodesuseacompletelynew technologythatprovidessuperiorswitchingperformanceandhigher reliabilitycomparedtoSilicon.Noreverserecoverycurrent, temperatureindependentswitchingcharacteristics,andexcellent thermalperformancesetsSil	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NTSB20120CTG	文件：133.57 Kbytes Page：8 Pages	VeryLowForwardVoltageTrench-basedSchottkyRectifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NTSB20120CTG	文件：89.66 Kbytes Page：9 Pages	VeryLowForwardVoltageTrench-basedSchottkyRectifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
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NTSV20120CT	文件：86.31 Kbytes Page：5 Pages	VeryLowForwardVoltageTrench-basedSchottkyRectifier VeryLowForwardVoltageTrench-basedSchottkyRectifier ExceptionallyLowVF=0.557VatIF=5A Features ?FineLithographyTrench?basedSchottkyTechnologyforVeryLowForwardVoltageandLowLeakage ?FastSwitchingwithExceptionalTemperatureStability ?LowPowerLossandLowerOper	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
PCDH20120CCGB	文件：446.92 Kbytes Page：5 Pages	SiliconCarbideSchottkyBarrierDiode Features ?TemperatureIndependentSwitchingBehavior ?HighSurgeCurrentCapability ?CompetitiveVF1.4Vatratedcurrent ?LowConductionLoss ?ZeroReverseRecovery ?Highjunctiontemperature175oC ?LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 ?GreenmoldingcompoundasperIEC61249	PANJITPan Jit International Inc. 強(qiáng)茂股份有限公司	PANJIT
PSBT20120LCT	文件：239.61 Kbytes Page：4 Pages	ULTRALOWVFSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features ?Idealforautomatedplacement ?Ultralowforwardvoltagedrop,lowpowerloss ?Highefficiencyoperation ?Lowthermalresistance ?Easypickandplacepackagesuitableforautomatedhandling ?LeadfreeincompliancewithEURoHS2011/65/EUdirective ?Greenmoldingcompounda	PANJITPan Jit International Inc. 強(qiáng)茂股份有限公司	PANJIT
PTR20120CT	文件：773.76 Kbytes Page：7 Pages	20A120VHPTRSchottkyRectifier	PFC PFC Device Inc.	PFC
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PTR20120CTI	文件：773.76 Kbytes Page：7 Pages	20A120VHPTRSchottkyRectifier	PFC PFC Device Inc.	PFC
R20120	文件：143.29 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPowerRectifier	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
R20120	文件：112.14 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPowerRectifier SiliconPowerRectifier ●GlassPassivatedDie ●LowForwardVoltage ●200ASurgeRating ●Glasstometalconstruction ●VRRMto1200V ●Excellentreliability	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
RU20120L	文件：310.88 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelAdvancedPowerMOSFET	RUICHIPSShenzhen City Ruichips Semiconductor Co., Ltd 銳駿半導(dǎo)體深圳銳駿半導(dǎo)體股份有限公司	RUICHIPS
S20120	文件：148.74 Kbytes Page：2 Pages	SILICONPOWERRECTIFIER SiliconPowerRectifier ●GlassPassivatedDie ●LowForwardVoltage ●200ASurgeRating ●Glasstometalconstruction ●VRRMto1200V	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
S20120	文件：112.14 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPowerRectifier SiliconPowerRectifier ●GlassPassivatedDie ●LowForwardVoltage ●200ASurgeRating ●Glasstometalconstruction ●VRRMto1200V ●Excellentreliability	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi

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