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MBRA120T3	文件：6.37993 Mbytes Page：2 Pages	CHIPSCHOTTKYBARRIERDIODES FEATURES ?PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-OUtilizingFlameRetardantEpoxyMoldingCompound. ?Forsurfacemountedapplications. ?ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 ?Lowleakagecurrent.	TAYCHIPSTShenzhen Taychipst Electronic Co., Ltd 泰迪斯電子深圳市泰迪斯電子科技有限公司	TAYCHIPST
MBRS120T3	文件：48.41 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountSchottkyPowerRectifier SurfaceMountSchottkyPowerRectifier ThisdeviceemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal?to?siliconpowerdiode.State?of?the?artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequencyrectif	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
MBRS120T3G	文件：262.13 Kbytes Page：5 Pages	SurfaceMountSchottkyPowerRectifier ThisdeviceemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargearea metal?to?siliconpowerdiode.State?of?the?artgeometryfeatures epitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlay contact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequencyrectification,or asfreewheelingandpol	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
MBRS120T3G	文件：135.32 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountSchottkyPowerRectifier SurfaceMountSchottkyPowerRectifier ThisdeviceemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal?to?siliconpowerdiode.State?of?the?artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequencyrectif	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
MBRS120T3G	文件：48.41 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountSchottkyPowerRectifier SurfaceMountSchottkyPowerRectifier ThisdeviceemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal?to?siliconpowerdiode.State?of?the?artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequencyrectif	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
MURA120T3	文件：39.62 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountUltrafastPowerRectifiers	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
MURA120T3	文件：49.24 Kbytes Page：4 Pages	ULTRAFASTRECTIFIERS1AMPERE,100??00VOLTS	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
MURA120T3G	文件：182.58 Kbytes Page：6 Pages	PowerRectifier,Ultra-FastRecovery,1A,100-200V Ideallysuitedforhighvoltage,highfrequencyrectification,oras freewheelingandprotectiondiodesinsurfacemountapplications wherecompactsizeandweightarecriticaltothesystem. Features ?SmallCompactSurfaceMountablePackagewithJ?BendLeads ?RectangularPackageforAutom	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
MURA120T3G	文件：143.58 Kbytes Page：6 Pages	SurfaceMountUltrafastPowerRectifiers Ideallysuitedforhighvoltage,highfrequencyrectification,oras freewheelingandprotectiondiodesinsurfacemountapplications wherecompactsizeandweightarecriticaltothesystem. Features ?SmallCompactSurfaceMountablePackagewithJ?BendLeads ?RectangularPackageforAut	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
MURA120T3G	文件：266.12 Kbytes Page：2 Pages	1.0AmpereSurfaceMountTypeUltraFastRecoveryRectifierDiode	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半導體思祁半導體有限公司	THINKISEMI
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