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ThisdeviceemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargearea metal?to?siliconpowerdiode.State?of?the?artgeometryfeatures epitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlay contact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequencyrectification,or asfreewheelingandpol

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DO214AB
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DO-214AB(SMC)
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森美特高品質(zhì)產(chǎn)品原裝正品免費送樣
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更多MURS3100T3G供應商 更新時間2025-1-29 11:00:00

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