欧美一级鲁丝片免费一区,柠檬av导航性炮床八爪椅合欢

首頁 >MURT20060>規(guī)格書列表

零件編號	下載&訂購	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
MURT20060	文件：389.93 Kbytes Page：2 Pages	HIGH POWER- SUPER FAST RECTIFIERS	AMERICASEMI America Semiconductor, LLC	AMERICASEMI
MURT20060	文件：361.37 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Super Fast Recovery Diode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MURT20060	文件：733.2 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Super Fast Recovery Diode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MURT20060	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：散裝封裝/外殼：三塔類別：分立半導體產品二極管 - 整流器 - 陣列描述：DIODE MODULE 600V 100A 3TOWER	GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor	GeneSiC Semiconductor
MURT20060R	文件：361.37 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Super Fast Recovery Diode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MURT20060R	文件：389.93 Kbytes Page：2 Pages	HIGH POWER- SUPER FAST RECTIFIERS	AMERICASEMI America Semiconductor, LLC	AMERICASEMI
MURT20060R	文件：733.2 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Super Fast Recovery Diode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MURT20060R	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：散裝封裝/外殼：三塔類別：分立半導體產品二極管 - 整流器 - 陣列描述：DIODE MODULE 600V 100A 3TOWER	GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor	GeneSiC Semiconductor
MURTA20060	文件：469.22 Kbytes Page：4 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MURTA20060	文件：771.35 Kbytes Page：4 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MURTA20060R	文件：771.35 Kbytes Page：4 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MURTA20060R	文件：469.22 Kbytes Page：4 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
PNE20060CPE	文件：261.8 Kbytes Page：13 Pages	200V,2x3Adualcommoncathodehyperfastrecoveryrectifier Featuresandbenefits ?Reversevoltage:VR≤200V ?Forwardcurrent:IF≤3A(perdiode) ?Switchingtime:trr≤30ns ?Ptdopedlifetimecontrol ?Lowinductance ?PowerandflatleadSMDplasticpackage ?Packageheighttypical0.95mm ?Highpowercapabilityduetoclip-bondtechno	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導體(中國)有限公司	NEXPERIA
PNE20060CPE-Q	文件：262.86 Kbytes Page：13 Pages	200V,2x3Adualcommoncathodehyperfastrecoveryrectifier Featuresandbenefits ?Reversevoltage:VR≤200V ?Forwardcurrent:IF≤3A(perdiode) ?Switchingtime:trr≤30ns ?Ptdopedlifetimecontrol ?Lowinductance ?PowerandflatleadSMDplasticpackage ?Packageheighttypical0.95mm ?Highpowercapabilityduetoclip-bondtechno	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導體(中國)有限公司	NEXPERIA
PNE20060CPE-QZ	文件：262.86 Kbytes Page：13 Pages	200V,2x3Adualcommoncathodehyperfastrecoveryrectifier Featuresandbenefits ?Reversevoltage:VR≤200V ?Forwardcurrent:IF≤3A(perdiode) ?Switchingtime:trr≤30ns ?Ptdopedlifetimecontrol ?Lowinductance ?PowerandflatleadSMDplasticpackage ?Packageheighttypical0.95mm ?Highpowercapabilityduetoclip-bondtechno	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導體(中國)有限公司	NEXPERIA
PNE20060CPEZ	文件：261.8 Kbytes Page：13 Pages	200V,2x3Adualcommoncathodehyperfastrecoveryrectifier Featuresandbenefits ?Reversevoltage:VR≤200V ?Forwardcurrent:IF≤3A(perdiode) ?Switchingtime:trr≤30ns ?Ptdopedlifetimecontrol ?Lowinductance ?PowerandflatleadSMDplasticpackage ?Packageheighttypical0.95mm ?Highpowercapabilityduetoclip-bondtechno	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導體(中國)有限公司	NEXPERIA
PNE20060EPE	文件：240.85 Kbytes Page：12 Pages	200V,6Ahyperfastrecoveryrectifier Featuresandbenefits ?Reversevoltage:VR≤200V ?Forwardcurrent:IF≤6A ?Switchingtime:trr≤30ns ?Ptdopedlifetimecontrol ?Lowinductance ?PowerandflatleadSMDplasticpackage ?Packageheighttypical0.95mm ?Highpowercapabilityduetoclip-bondtechnology ?Plan	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導體(中國)有限公司	NEXPERIA
PNE20060EPE-Q	文件：241.16 Kbytes Page：12 Pages	200V,6Ahyperfastrecoveryrectifier Featuresandbenefits ?Reversevoltage:VR≤200V ?Forwardcurrent:IF≤6A ?Switchingtime:trr≤30ns ?Ptdopedlifetimecontrol ?Lowinductance ?PowerandflatleadSMDplasticpackage ?Packageheighttypical0.95mm ?Highpowercapabilityduetoclip-bondtechnology ?Plan	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導體(中國)有限公司	NEXPERIA
PNE20060EPE-QZ	文件：241.16 Kbytes Page：12 Pages	200V,6Ahyperfastrecoveryrectifier Featuresandbenefits ?Reversevoltage:VR≤200V ?Forwardcurrent:IF≤6A ?Switchingtime:trr≤30ns ?Ptdopedlifetimecontrol ?Lowinductance ?PowerandflatleadSMDplasticpackage ?Packageheighttypical0.95mm ?Highpowercapabilityduetoclip-bondtechnology ?Plan	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導體(中國)有限公司	NEXPERIA
PNE20060EPEZ	文件：240.85 Kbytes Page：12 Pages	200V,6Ahyperfastrecoveryrectifier Featuresandbenefits ?Reversevoltage:VR≤200V ?Forwardcurrent:IF≤6A ?Switchingtime:trr≤30ns ?Ptdopedlifetimecontrol ?Lowinductance ?PowerandflatleadSMDplasticpackage ?Packageheighttypical0.95mm ?Highpowercapabilityduetoclip-bondtechnology ?Plan	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導體(中國)有限公司	NEXPERIA

12 >>>

產品屬性

產品編號：
MURT20060
制造商：
GeneSiC Semiconductor
類別：
分立半導體產品 > 二極管 - 整流器 - 陣列
包裝：
散裝
二極管配置：
1 對共陰極
二極管類型：
標準
電流 - 平均整流 (Io)（每二極管）：
100A
速度：
快速恢復 =< 500ns，> 200mA（Io）
工作溫度 - 結：
-55°C ~ 150°C
安裝類型：
底座安裝
封裝/外殼：
三塔
供應商器件封裝：
三塔
描述：
DIODE MODULE 600V 100A 3TOWER

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市鑫宇楊電子科技有限公司	MURT20060	DACO	2020+	MODULE	350000	100%進口原裝正品公司現貨庫存	詢價
深圳市艾宇欣科技有限公司	MURT20060	GeneSiC	1935+	N/A	55	加我qq或微信，了解更多詳細信息,體驗一站式購物	詢價
深圳市科雨電子有限公司	MURT20060	GENESIC	1809+	三塔	96	就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件!	詢價
深圳市易訊博科技有限公司	MURT20060	GeneSiC	22+	NA	55	加我QQ或微信咨詢更多詳細信息,	詢價
深圳市河鋒鑫科技有限公司	MURT20060	GeneSiC Semiconductor	22+	Three Tower	9000	原廠渠道,現貨配單	詢價
浙江永芯科技有限公司	MURT20060	IXFN	23+	標準封裝	5000	原廠授權一級代理 IGBT模塊可控硅晶閘管熔斷器質保	詢價
深圳龐田科技有限公司	MURT20060	IXFN	2023+	module	48000	AI智能識別、工業(yè)、汽車、醫(yī)療方案LPC批量及配套一站	詢價
江蘇芯鉆時代電子科技有限公司	MURT20060	DACO	23+	MODULE	1000	全新原裝現貨	詢價
深圳市宏捷佳電子科技有限公司	MURT20060	GeneSiC Semiconductor	24+	三塔	9350	獨立分銷商公司只做原裝誠心經營免費試樣正品保證	詢價
貿澤芯城（深圳）電子科技有限公司	MURT20060PLR	DACO	23+		16426	原廠授權一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種	詢價

更多MURT20060供應商更新時間2025-1-11 9:00:00

產品屬性

相關規(guī)格書

相關庫存