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MVGSF1N02L

Power MOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MVGSF1N02LT1G

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?DC/DCConverter

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺(tái)灣)有限公司

MVGSF1N02LT1G

Power MOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MGSF1N02EL

N-CHANNELLOGICLEVELENHANCEMENT-MODETMOSMOSFET

PartoftheGreenLine?Portfolioofdeviceswithenergy–conservingtraits. TheseminiaturesurfacemountMOSFETsutilizeMotorola’sHighCellDensity,HDTMOSprocess.LowrDS(on)assuresminimalpowerlossandconservesenergy,makingthisdeviceidealforuseinspacesensitivepowermanagement

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MGSF1N02L

PowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MTDF1N02HD

PowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MTDF1N02HD

DUALTMOSPOWERMOSFET1.7AMPERES20VOLTSRDS(on)=0.120OHM

MediumPowerSurfaceMountProducts TMOSDualN-ChannelFieldEffectTransistor Micro8?devicesareanadvancedseriesofpowerMOSFETswhichutilizeMotorola’sHighCellDensityHDTMOSprocesstoachievelowestpossibleon–resistancepersiliconarea.Theyarecapableofwithstandinghighenerg

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    MVGSF1N02L

  • 功能描述:

    MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
ONSEM
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SOT23-3
98215
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SOT-23-3
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SOT-23-3
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SOT23
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SOT-23-3
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更多MVGSF1N02L供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-22 16:07:00