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MW6S004NT1中文資料飛思卡爾數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
廠商型號 |
MW6S004NT1 |
參數(shù)屬性 | MW6S004NT1 封裝/外殼為PLD-1.5;包裝為散裝;類別為分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 68V 1.96GHZ PLD-1.5 |
功能描述 | RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
文件大小 |
527.99 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
12 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Freescale Semiconductor, Inc |
企業(yè)簡稱 |
freescale【飛思卡爾】 |
中文名稱 | 飛思卡爾半導體官網(wǎng) |
原廠標識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2024-11-17 19:10:00 |
MW6S004NT1規(guī)格書詳情
1-2000 MHz, 4 W, 28 V LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFET
Designed for Class A or Class AB base station applications with frequencies up to 2000 MHz. Suitable for analog and digital modulation and multicarrier amplifier applications.
? Typical Two-Tone Performance @ 1960 MHz, 28 Volts, IDQ = 50 mA, Pout = 4 Watts PEP
Power Gain — 18 dB
Drain Efficiency — 33
IMD — -34 dBc
? Typical Two-Tone Performance @ 900 MHz, 28 Volts, IDQ = 50 mA, Pout = 4 Watts PEP
Power Gain — 19 dB
Drain Efficiency — 33
IMD — -39 dBc
? Capable of Handling 5:1 VSWR, @ 28 Vdc, 1960 MHz, 4 Watts CW Output Power
Features
? Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters
? On-Chip RF Feedback for Broadband Stability
? Integrated ESD Protection
? RoHS Compliant
? In Tape and Reel. T1 Suffix = 1000 Units per 12 mm, 7 inch Reel.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
MW6S004NT1
- 制造商:
NXP USA Inc.
- 類別:
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
- 包裝:
散裝
- 晶體管類型:
LDMOS
- 頻率:
1.96GHz
- 增益:
18dB
- 功率 - 輸出:
4W
- 封裝/外殼:
PLD-1.5
- 供應商器件封裝:
PLD-1.5
- 描述:
FET RF 68V 1.96GHZ PLD-1.5
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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NA |
24+ |
NA |
990000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
FREESCALE |
1950+ |
PLD-1.5 |
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PLD-1.5 |
3900 |
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