MW6S010GNR 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 FSL

原廠料號：MW6S010GNR品牌：FSL

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MW6S010GNR是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻。制造商FSL/NXP USA Inc.生產(chǎn)封裝SMD/TO-270BA的MW6S010GNR晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

• 芯片型號：

  MW6S010GNR1

• 規(guī)格書：

  下載 下載2

• 企業(yè)簡稱：

  FREESCALE【飛思卡爾】詳情

• 廠商全稱：

  Freescale Semiconductor, Inc

• 中文名稱：

  飛思卡爾半導(dǎo)體

• 內(nèi)容頁數(shù)：

  20 頁

• 文件大?。?/span>

  726.25 kb

• 資料說明：

  RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs