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MWI50-12E7分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料

MWI50-12E7
廠商型號

MWI50-12E7

參數(shù)屬性

MWI50-12E7 封裝/外殼為E2;包裝為盒;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊;產(chǎn)品描述:IGBT MODULE 1200V 90A 350W E2

功能描述

Short Circuit SOA Capability Square RBSOA
IGBT MODULE 1200V 90A 350W E2

封裝外殼

E2

文件大小

130.08 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-28 10:18:00

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MWI50-12E7規(guī)格書詳情

MWI50-12E7屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由IXYS Corporation制造生產(chǎn)的MWI50-12E7晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件,主要用作電子開關(guān),兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊,IGBT 配置為非對稱式橋; 升壓、降壓和制動斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進行區(qū)分。

IGBT Modules Sixpack, H Bridge

Short Circuit SOA Capability Square RBSOA

Features

? NPT3 IGBTs

- low saturation voltage

- positive temperature coefficient for easy paralleling

- fast switching

- short tail current for optimized performance also in resonant circuits

? HiPerFREDTM diode:

- fast reverse recovery

- low operating forward voltage

- low leakage current

? Industry Standard Package

- solderable pins for PCB mounting

- isolated copper base plate

- UL registered, E 72873

Typical Applications

? MWI

- AC drives

- power supplies with power factor correction

? MKI

- motor control

? DC motor amature winding

? DC motor excitation winding

? synchronous motor excitation winding

- supply of transformer primary winding

? power supplies

? welding

? X-ray

? battery charger

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    MWI50-12E7

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝:

  • IGBT 類型:

    NPT

  • 配置:

    三相反相器

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.4V @ 15V,50A

  • 輸入:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • NTC 熱敏電阻:

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 125°C(TJ)

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    E2

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    E2

  • 描述:

    IGBT MODULE 1200V 90A 350W E2

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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