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MWS11GB11-S1

InGaP HBT Gain Block

DESCRIPTION Thisgeneralpurposeamplifierisalowcost,broadbandRFICmanufacturedwithanInGaP/GaAsHeterojunctionBipolarTransistor(HBT)process(MOCVD).ThisRFICamplifierwasdesignedasaneasilycascadable50ohmgainblock.Thedeviceisself-containedwith50ohminputandoutputi

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    MWS11GB11-S1

  • 制造商：

    MICROSEMI

  • 制造商全稱：

    Microsemi Corporation

  • 功能描述：

    InGaP HBT Gain Block

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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一級代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢長期供貨
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更多MWS11GB11-S1供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-16 10:08:00

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