MX043G中文資料美高森美數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
| 廠商型號(hào) |
MX043G |
| 功能描述 | RADIATION HARDENED SEGR-RESISTANT N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| 文件大小 |
183.1 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
4 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Microsemi Corporation |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng) |
Microsemi【美高森美】 |
| 中文名稱(chēng) | 美高森美公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-2 23:15:00 |
MX043G規(guī)格書(shū)詳情
Features
? Harris FSC260R die
? total dose: 100 kRAD(Si) within pre-radiation parameter limits
? dose rate: 3 x 109RAD(Si)/sec @ 80BVDSS typical
? dose rate: 2 x 1012RAD(Si)/sec @ ID ￡IDM typical
? neutron: 1013 neutrons/cm2 within pre-radiation parameter limits
? photocurrent: 17 nA/RAD(Si)/sec typical
? rated Safe Operating Area Curve for Single event Effects
? rugged polysilicon gate cell structure with ultrafast body diode
? low inductance surface mount power package available with “J-leads” (MX043J) or “gullwing-leads” (MX043G)
? very low thermal resistance
? reverse polarity available upon request add suffix “R”st
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
MX043G
- 制造商：
MICROSEMI
- 制造商全稱(chēng)：
Microsemi Corporation
- 功能描述：
RADIATION HARDENED SEGR-RESISTANT N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
CTS |
06+ |
DIP4 |
48 |
一級(jí)代理,專(zhuān)注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢(xún)價(jià) | ||
CTS |
23+ |
MHZ |
20000 |
全新原裝假一賠十 |
詢(xún)價(jià) | ||
PLEXUS |
2020+ |
DIP-4 |
80000 |
只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開(kāi)13%增 |
詢(xún)價(jià) | ||
CTS |
23+ |
NA |
613 |
專(zhuān)做原裝正品,假一罰百! |
詢(xún)價(jià) | ||
MX045-50.0MHZ |
14 |
14 |
詢(xún)價(jià) | ||||
PLEXUS |
24+ |
DIP4 |
2789 |
原裝優(yōu)勢(shì)!絕對(duì)公司現(xiàn)貨! |
詢(xún)價(jià) | ||
CTS |
DIP4 |
699839 |
集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費(fèi)送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī) |
詢(xún)價(jià) | |||
CTS |
新 |
11 |
全新原裝 貨期兩周 |
詢(xún)價(jià) | |||
PLEXUS |
23+ |
DIP4 |
5000 |
原裝正品,假一罰十 |
詢(xún)價(jià) | ||
CTS |
24+ |
54 |
詢(xún)價(jià) |
