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FDD8586	文件：331.14 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=35A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=20V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=5.5mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FDU8586	文件：424.2 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerTrenchMOSFET20V,35A,5.5mOHM	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
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更多MXD8586供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-15 10:02:00

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