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MZ0912B100Y中文資料飛利浦數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

MZ0912B100Y
廠商型號

MZ0912B100Y

參數(shù)屬性

MZ0912B100Y 封裝/外殼為SOT-443A;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 20V 1.215GHZ CDFM2

功能描述

NPN microwave power transistors

文件大小

98.88 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

Philips飛利浦

中文名稱

荷蘭皇家飛利浦官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-11-5 20:00:00

MZ0912B100Y規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

NPN silicon planar epitaxial microwave power transistors.

The MX0912B100Y has a SOT439A metal ceramic flange package and improved output prematching cells. It is recommended for new designs.

The MZ0912B100Y has a SOT443A metal ceramic flange package with the base connected to the flange. It is mounted in common base configuration and specified in class C.

FEATURES

? Interdigitated structure provides high emitter efficiency

? Diffused emitter ballasting resistors providing excellent current sharing and withstanding a high VSWR

? Gold metallization realizes very stable characteristics and excellent lifetime

? Multicell geometry improves power sharing and low thermal resistance

? Input and output matching cell allows an easier design of circuits.

APPLICATIONS

? Common base class-C broadband pulse power amplifiers operating at 960 to 1215 MHz for TACAN application.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MZ0912B100Y,114

  • 制造商:

    Ampleon USA Inc.

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    20V

  • 頻率 - 躍遷:

    1.215GHz

  • 增益:

    7.6dB

  • 功率 - 最大值:

    290W

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    6A

  • 工作溫度:

    200°C(TJ)

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    SOT-443A

  • 供應商器件封裝:

    CDFM2

  • 描述:

    RF TRANS NPN 20V 1.215GHZ CDFM2

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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