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IRFR4615PBF

HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS

IRF

International Rectifier

IRFR4615PBF

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=33A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=42mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRFR4615TRLPBF

HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS

IRF

International Rectifier

IRFR4615TRPBF

HEXFETPowerMOSFET

IRF

International Rectifier

IRFR4615TRPBF

N-channelEnhancementModePowerMOSFET

Features ?VDS=150V,ID=40A RDS(ON)

BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED

百域芯深圳市百域芯科技有限公司

IRFS4615

IscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRFS4615PBF

HEXFETPowerMOSFET

IRF

International Rectifier

IRFS4615PBF

HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS

IRF

International Rectifier

IRFSL4615PbF

HEXFETPowerMOSFET

IRF

International Rectifier

IRFU4615

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

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更多MZ4615供應(yīng)商 更新時間2025-4-26 13:30:00