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N01S830BAT22I集成電路（IC）的存儲(chǔ)器規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
N01S830BAT22I |
| 參數(shù)屬性 | N01S830BAT22I 封裝/外殼為8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）；包裝為托盤；類別為集成電路（IC）的存儲(chǔ)器；產(chǎn)品描述：IC SRAM 1MBIT SPI 20MHZ 8TSSOP |
| 功能描述 | 1 Mb Ultra-Low Power Serial SRAM |
| 封裝外殼 | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） |
| 文件大小 |
136.8 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
13 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-24 8:14:00 |
N01S830BAT22I規(guī)格書詳情
N01S830BAT22I屬于集成電路（IC）的存儲(chǔ)器。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的N01S830BAT22I存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲(chǔ)容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
N01S830BAT22I
- 制造商：
onsemi
- 類別：
集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器
- 包裝：
托盤
- 存儲(chǔ)器類型：
易失
- 存儲(chǔ)器格式：
SRAM
- 技術(shù)：
SRAM
- 存儲(chǔ)容量：
1Mb（128K x 8）
- 存儲(chǔ)器接口：
SPI
- 電壓 - 供電：
2.5V ~ 5.5V
- 工作溫度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）
- 供應(yīng)商器件封裝：
8-TSSOP
- 描述：
IC SRAM 1MBIT SPI 20MHZ 8TSSOP
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
23+ |
TSSOP8 |
7350 |
現(xiàn)貨供應(yīng),當(dāng)天可交貨!免費(fèi)送樣,原廠技術(shù)支持!!! |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
2022+ |
100 |
原廠原裝,假一罰十 |
詢價(jià) | |||
onsemi |
兩年內(nèi) |
NA |
400 |
實(shí)單價(jià)格可談 |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
22+ |
NA |
3000 |
可訂貨 請(qǐng)確認(rèn) |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
24+ |
NA |
5000 |
原裝現(xiàn)貨 假一賠十 |
詢價(jià) | ||
ONSEMI |
22+ |
SMD |
6000 |
詢價(jià) | |||
ON/安森美 |
1922+ |
NA |
6852 |
只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十! |
詢價(jià) | ||
ON Semiconductor |
24+ |
8-TSSOP |
56200 |
一級(jí)代理/放心采購 |
詢價(jià) | ||
ON(安森美) |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
8000 |
集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費(fèi)送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī) |
詢價(jià) | |||
ON/安森美 |
24+ |
NA |
860000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) |
