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N0604N-S19-AY中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

N0604N-S19-AY
廠商型號

N0604N-S19-AY

功能描述

N-channel MOSFET Low on-state resistance

文件大小

148.43 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-22 23:00:00

N0604N-S19-AY規(guī)格書詳情

Description

The N0604N is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

Features

? Low on-state resistance

RDS (on) = 6.5 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 41 A)

? Low input capacitance

Ciss = 4150 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V)

? High current

ID(DC) = ±82 A

? RoHS Compliant

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
RENESAS(瑞薩)/IDT
23+
TO252
7350
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RENESAS/瑞薩
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RENESAS/瑞薩
23+
TO-220
10000
公司只做原裝正品
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RENESAS/瑞薩
22+
TO-220
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原廠授權(quán)一級代理 IGBT模塊 可控硅 晶閘管 熔斷器質(zhì)保
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