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N0609N-S19-AY

N-channel MOSFET 60 V, 120 A, 3.0 mΩ

Features ?Lowon-stateresistance:RDS(on)=3.0mΩmax.(VGS=10V,ID=60A) ?LowCiss:Ciss=11300pFtyp.(VDS=25V) ?Highcurrent:ID(DC)=±120A ?RoHSCompliant ?QualityGrade:Standard ?Applications:Forhighcurrentswitching

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

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更多N0609N-S19-AY供應(yīng)商 更新時間2025-1-25 14:14:00