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N6003NZ-S17-AY

N-channel MOSFET 600V, 2A, 4.4Ω

Description TheN6003NZisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Lowon-stateresistance RDS(on)=4.4ΩMAX.(VGS=10V,ID=1.0A) ?Lowinputcapacitance Ciss=400pFTYP.(VDS=10V,VGS=0V) ?Highcurrent ID(DC)=±2.0

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

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更多N6003NZ-S17-AY供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-9 9:12:00

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