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NAND01GR3B2BZA6E集成電路(IC)的存儲(chǔ)器規(guī)格書PDF中文資料

NAND01GR3B2BZA6E
廠商型號(hào)

NAND01GR3B2BZA6E

參數(shù)屬性

NAND01GR3B2BZA6E 封裝/外殼為63-TFBGA;包裝為管件;類別為集成電路(IC)的存儲(chǔ)器;產(chǎn)品描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA

功能描述

1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory

封裝外殼

63-TFBGA

文件大小

711.53 Kbytes

頁面數(shù)量

62

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡(jiǎn)稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-11 18:43:00

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    NAND01GR3B2BZA6E

  • 制造商:

    Micron Technology Inc.

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 包裝:

    管件

  • 存儲(chǔ)器類型:

    非易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    閃存

  • 技術(shù):

    閃存 - NAND

  • 存儲(chǔ)容量:

    1Gb(128M x 8)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字,頁:

    30ns

  • 電壓 - 供電:

    1.7V ~ 1.95V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    63-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    63-VFBGA(9x11)

  • 描述:

    IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ST(意法)
23+
NA
20094
正納10年以上分銷經(jīng)驗(yàn)原裝進(jìn)口正品做服務(wù)做口碑有支持
詢價(jià)
Micron Technology Inc
23+/24+
63-TFBGA
8600
只供原裝進(jìn)口公司現(xiàn)貨+可訂貨
詢價(jià)
Numonyx/STMi
23+
63-VFBGA
65480
詢價(jià)
STM
6000
面議
19
DIP/SMD
詢價(jià)
Micron
24+
63-TFBGA
4871
專注原裝正品代理分銷,終端客戶可支持BOM表配單
詢價(jià)
ST
BGA
93480
集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費(fèi)送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī)
詢價(jià)
ST
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BGA63
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ST
23+
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5000
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STM
23+
BGA
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詢價(jià)
Micron
22+
63VFBGA (9x11)
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
詢價(jià)