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NAND01GR3B2CZA6 集成電路（IC）存儲器 ST品牌

NAND01GR3B2CZA6參考圖片

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  • 廠家型號：

    NAND01GR3B2CZA6

  • 產(chǎn)品分類：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 生產(chǎn)廠商：

    ST品牌

  • 庫存數(shù)量：

    80000

  • 產(chǎn)品封裝：

    .內(nèi)存芯片

  • 生產(chǎn)批號：

    2023+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時間：

    2025-1-19 8:00:00

  • 詳細信息
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原廠料號：NAND01GR3B2CZA6品牌：ST品牌

一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢 十年芯程一路只做原裝正品

NAND01GR3B2CZA6是集成電路（IC） > 存儲器。制造商ST品牌/Micron Technology Inc.生產(chǎn)封裝.內(nèi)存芯片/63-TFBGA的NAND01GR3B2CZA6存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設備的半導體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-Wire。

  • 芯片型號：

    NAND01GR3B2CZA6

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    STMICROELECTRONICS【意法半導體】詳情

  • 廠商全稱：

    STMicroelectronics

  • 中文名稱：

    意法半導體集團

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    64 頁

  • 文件大小：

    631.49 kb

  • 資料說明：

    1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    NAND01GR3B2CZA6E

  • 制造商：

    Micron Technology Inc.

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    管件

  • 存儲器類型：

    非易失

  • 存儲器格式：

    閃存

  • 技術：

    閃存 - NAND

  • 存儲容量：

    1Gb（128M x 8）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    25ns

  • 電壓 - 供電：

    1.7V ~ 1.95V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    63-TFBGA

  • 供應商器件封裝：

    63-VFBGA（9.5x12）

  • 描述：

    IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA

供應商

  • 企業(yè)：

    深圳市維爾達電子有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    連先生

  • 手機：

    13544094624

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-83465779

  • 傳真：

    0755-83465779

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)友誼路上步工業(yè)區(qū)403棟鈺裕大廈東座3層318

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