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NAND01GW3B集成電路（IC）的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

NAND01GW3B
廠商型號

NAND01GW3B
參數(shù)屬性

NAND01GW3B 封裝/外殼為48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）；包裝為托盤；類別為集成電路（IC）的存儲器；產(chǎn)品描述：IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP
功能描述

1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP
封裝外殼

48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）
文件大小

631.49 Kbytes
頁面數(shù)量

64 頁
生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-13 11:26:00
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NAND01GW3B規(guī)格書詳情

NAND01GW3B屬于集成電路（IC）的存儲器。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的NAND01GW3B存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    NAND01GW3B2AN6F

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲器類型：

    非易失

  • 存儲器格式：

    閃存

  • 技術(shù)：

    閃存 - NAND

  • 存儲容量：

    1Gb（128M x 8）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    30ns

  • 電壓 - 供電：

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    48-TSOP

  • 描述：

    IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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