NAND01GW3B2AZA6E 集成電路（IC）存儲器 STMICROELECTRONICS/意法半導體

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廠家型號：
NAND01GW3B2AZA6E
產品分類：
集成電路（IC） > 存儲器
生產廠商：
ST(MICR
庫存數量：
80000
產品封裝：
BGA
生產批號：
2020+
庫存類型：
常用庫存
更新時間：
2025-1-23 9:20:00

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原廠料號：NAND01GW3B2AZA6E品牌：ST(MICR

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NAND01GW3B2AZA6E是集成電路（IC） > 存儲器。制造商ST(MICR/STMicroelectronics生產封裝BGA/63-TFBGA的NAND01GW3B2AZA6E存儲器存儲器是集成電路上用作數據存儲設備的半導體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-Wire。

芯片型號：
NAND01GW3B2AZA6E
規(guī)格書：
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企業(yè)簡稱：
STMICROELECTRONICS【意法半導體】詳情
廠商全稱：
STMicroelectronics
中文名稱：
意法半導體集團
資料說明：
閃存 NAND MEDIA FLASH

產品屬性

類型
描述
產品編號：
NAND01GW3B2AZA6E
制造商：
STMicroelectronics
類別：
集成電路（IC） > 存儲器
包裝：
托盤
存儲器類型：
非易失
存儲器格式：
閃存
技術：
閃存 - NAND
存儲容量：
1Gb（128M x 8）
存儲器接口：
并聯(lián)
寫周期時間 - 字，頁：
30ns
電壓 - 供電：
2.7V ~ 3.6V
工作溫度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
63-TFBGA
供應商器件封裝：
63-VFBGA（9x11）
描述：
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA

供應商

企業(yè)：
深圳市納艾斯科技有限公司
商鋪：
進入商鋪
聯(lián)系人：
肖小姐
手機：
13117514091
詢價：
電話：
0755-/82781136/2707495
傳真：
0755-82707495
地址：
深圳市福田區(qū)華強北路賽格大廈5803A

NAND01GW3B2AZA6E 集成電路（IC）存儲器 STMICROELECTRONICS/意法半導體

NAND01GW3B2AZA6E

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