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NAND01GW3B2BZA6 集成電路(IC)存儲(chǔ)器 STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體
- 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào):NAND01GW3B2BZA6品牌:ST
特價(jià)庫(kù)存
產(chǎn)品參考屬性
- 類型
描述
- 產(chǎn)品編號(hào):
NAND01GW3B2BZA6E
- 制造商:
Micron Technology Inc.
- 類別:
- 包裝:
管件
- 存儲(chǔ)器類型:
非易失
- 存儲(chǔ)器格式:
閃存
- 技術(shù):
閃存 - NAND
- 存儲(chǔ)容量:
1Gb(128M x 8)
- 存儲(chǔ)器接口:
并聯(lián)
- 寫周期時(shí)間 - 字,頁(yè):
30ns
- 電壓 - 供電:
2.7V ~ 3.6V
- 工作溫度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
63-TFBGA
- 供應(yīng)商器件封裝:
63-VFBGA(9x11)
- 描述:
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市博浩通科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
羅小姐/王先生
- 手機(jī):
19166251668
- 詢價(jià):
- 電話:
0755-82819109/83242993
- 傳真:
0755-82818458
- 地址:
國(guó)內(nèi)業(yè)務(wù):深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北寶華大廈A座808,國(guó)際業(yè)務(wù):深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場(chǎng)3510A室
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