NAND01GW3B2BZA6E 集成電路（IC）存儲(chǔ)器 Micron Technology Inc.

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廠(chǎng)家型號(hào)：
NAND01GW3B2BZA6E
產(chǎn)品分類(lèi)：
集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器
生產(chǎn)廠(chǎng)商：
Micron Technology Inc.
庫(kù)存數(shù)量：
5280
產(chǎn)品封裝：
6-WFBGA,CSPBGA
生產(chǎn)批號(hào)：
21+
庫(kù)存類(lèi)型：
常用庫(kù)存
更新時(shí)間：
2025-1-8 13:01:00

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原廠(chǎng)料號(hào)：NAND01GW3B2BZA6E品牌：Micron Technology Inc.

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NAND01GW3B2BZA6E是集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器。制造商Micron Technology Inc.生產(chǎn)封裝6-WFBGA,CSPBGA/63-TFBGA的NAND01GW3B2BZA6E存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性?xún)煞N，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲(chǔ)容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線(xiàn)、SPI、UFS、Xccela 總線(xiàn)和 1-Wire。

芯片型號(hào)：
NAND01GW3B2BZA6E
規(guī)格書(shū)：
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企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：
NUMONYX詳情
廠(chǎng)商全稱(chēng)：
numonyx
內(nèi)容頁(yè)數(shù)：
60 頁(yè)
文件大?。?/span>
1341.62 kb
資料說(shuō)明：
1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory

產(chǎn)品屬性

類(lèi)型
描述
產(chǎn)品編號(hào)：
NAND01GW3B2BZA6E
制造商：
Micron Technology Inc.
類(lèi)別：
集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器
包裝：
管件
存儲(chǔ)器類(lèi)型：
非易失
存儲(chǔ)器格式：
閃存
技術(shù)：
閃存 - NAND
存儲(chǔ)容量：
1Gb（128M x 8）
存儲(chǔ)器接口：
并聯(lián)
寫(xiě)周期時(shí)間 - 字，頁(yè)：
30ns
電壓 - 供電：
2.7V ~ 3.6V
工作溫度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類(lèi)型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
63-TFBGA
供應(yīng)商器件封裝：
63-VFBGA（9x11）
描述：
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA

供應(yīng)商

企業(yè)：
深圳市斌騰達(dá)科技有限公司
商鋪：
進(jìn)入商鋪
聯(lián)系人：
趙小姐
手機(jī)：
13049883113
詢(xún)價(jià)：
電話(huà)：
0755-82815082
傳真：
0755-82815039
地址：
深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上步工業(yè)區(qū)501棟518

NAND01GW3B2BZA6E 集成電路（IC）存儲(chǔ)器 Micron Technology Inc.

NAND01GW3B2BZA6E

產(chǎn)品屬性

供應(yīng)商

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