NAND01GW3B2CZA6E 集成電路(IC)存儲器 STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體

圖片僅供參考,請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 廠家型號:

    NAND01GW3B2CZA6E

  • 產(chǎn)品分類:

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商:

    STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體

  • 庫存數(shù)量:

    9000

  • 產(chǎn)品封裝:

    BGA

  • 生產(chǎn)批號:

    2016+

  • 庫存類型:

    常用庫存

  • 更新時間:

    2024-11-8 15:10:00

  • 詳細信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號:NAND01GW3B2CZA6E品牌:ST

只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票!

  • 芯片型號:

    NAND01GW3B2CZA6E

  • 規(guī)格書:

    下載

  • 企業(yè)簡稱:

    STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱:

    STMicroelectronics

  • 中文名稱:

    意法半導(dǎo)體(ST)集團

  • 內(nèi)容頁數(shù):

    62 頁

  • 文件大?。?/span>

    711.53 kb

  • 資料說明:

    1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory

產(chǎn)品參考屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號:

    NAND01GW3B2CZA6E

  • 制造商:

    Micron Technology Inc.

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    托盤

  • 存儲器類型:

    非易失

  • 存儲器格式:

    閃存

  • 技術(shù):

    閃存 - NAND

  • 存儲容量:

    1Gb(128M x 8)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    25ns

  • 電壓 - 供電:

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    63-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    63-VFBGA(9.5x12)

  • 描述:

    IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    深圳市凌旭科技有限公司

  • 商鋪:

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    謝先生

  • 手機:

    13682335883

  • 詢價:
  • 電話:

    0755-83221677

  • 傳真:

    0755-83234215

  • 地址:

    深圳市福田區(qū)紅荔路上步工業(yè)區(qū)501棟407