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NAND08GW3B2AN6E中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NAND08GW3B2AN6E
廠商型號

NAND08GW3B2AN6E
功能描述

4 Gbit, 8 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page 3V, NAND Flash Memories
文件大小

501.64 Kbytes
頁面數(shù)量

58 頁
生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-1-8 20:00:00

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    NAND08GW3B2AN6E

  • 功能描述：

    閃存 4 GBit 2112 Byte 1056 WP 1.8v/3v

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    ON Semiconductor

  • 數(shù)據(jù)總線寬度：

    1 bit

  • 存儲類型：

    Flash

  • 存儲容量：

    2 MB

  • 結(jié)構(gòu)：

    256 K x 8

  • 接口類型：

    SPI

  • 電源電壓-最大：

    3.6 V

  • 電源電壓-最?。?/span>

    2.3 V

  • 最大工作電流：

    15 mA

  • 工作溫度：

    - 40 C to + 85 C

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝：

    Reel

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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