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NAND08GW3C2B

8 or 16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory

NUMONYX

numonyx

NAND08GW3C2BN1E

8 or 16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory

NUMONYX

numonyx

NAND08GW3C2BN1F

8 or 16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory

NUMONYX

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NAND08GW3C2BN6E

8 or 16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory

NUMONYX

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NAND08GW3C2BN6F

8 or 16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory

NUMONYX

numonyx

NAND08GW3C2BZL1E

8 or 16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory

NUMONYX

numonyx

NAND08GW3C2BZL1F

8 or 16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory

NUMONYX

numonyx

NAND08GW3C2BZL6E

8 or 16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory

NUMONYX

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NAND08GW3C2BZL6F

8 or 16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory

NUMONYX

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NAND08GW3C2BN6E

包裝：托盤 封裝/外殼：48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP

Micron Technology Inc.

Micron Technology Inc.

Micron Technology Inc.

NAND08GW3C2A

8/16Gbit,2112bytepage,3Vsupply,multilevel,multiplane,NANDFlashmemory

NUMONYX

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詳細參數(shù)

  • 型號：

    NAND08GW3C2B

  • 功能描述：

    IC FLASH 8GBIT 48TSOP

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    集成電路(IC) >> 存儲器

  • 系列：

    -

  • 標準包裝：

    576

  • 系列：

    - 格式 -

  • 存儲器：

    閃存

  • 存儲器類型：

    閃存 - NAND

  • 存儲容量：

    512M（64M x 8）

  • 速度：

    -

  • 接口：

    并聯(lián)

  • 電源電壓：

    2.7 V ~ 3.6 V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C

  • 封裝/外殼：

    48-TFSOP（0.724，18.40mm 寬）

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    48-TSOP

  • 包裝：

    托盤

  • 其它名稱：

    497-5040

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
NUMONYX
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BGA
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一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢 十年芯程一路只做原裝正品
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原裝正品現(xiàn)貨,可開13個點稅
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原廠原裝正品現(xiàn)貨
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誠信交易大量庫存現(xiàn)貨
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MICRON
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更多NAND08GW3C2B供應(yīng)商 更新時間2025-1-10 13:30:00

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