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NAND256R3A2BZA6E 集成電路(IC)存儲(chǔ)器 STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書下載
原廠料號(hào):NAND256R3A2BZA6E品牌:ST
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產(chǎn)品參考屬性
- 類型
描述
- 產(chǎn)品編號(hào):
NAND256R3A2BZA6E
- 制造商:
Micron Technology Inc.
- 類別:
- 包裝:
托盤
- 存儲(chǔ)器類型:
非易失
- 存儲(chǔ)器格式:
閃存
- 技術(shù):
閃存 - NAND
- 存儲(chǔ)容量:
256Mb(32M x 8)
- 存儲(chǔ)器接口:
并聯(lián)
- 寫周期時(shí)間 - 字,頁:
50ns
- 電壓 - 供電:
1.7V ~ 1.95V
- 工作溫度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
55-TFBGA
- 供應(yīng)商器件封裝:
55-VFBGA(8x10)
- 描述:
IC FLSH 256MBIT PARALLEL 55VFBGA
供應(yīng)商
- 企業(yè):
中科航電(深圳)電子集團(tuán)有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
林翔
- 手機(jī):
18138867084
- 詢價(jià):
- 電話:
0755-83229017/4006767582
- 傳真:
0755-83229017
- 地址:
深圳市福田區(qū)華富路1046號(hào)華康二棟521室
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