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NAND512R3A2C	文件：1.27065 Mbytes Page：51 Pages	512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories Description TheNANDFlash528Byte/264WordPageisafamilyofnon-volatileFlashmemoriesthat usestheSingleLevelCell(SLC)NANDcelltechnology.ItisreferredtoastheSmallPage family.TheNAND512R3A2C,NAND512R4A2C,NAND512W3A2C,andNAND512W4A2C haveadensityof512Mbi	NUMONYX numonyx	NUMONYX
NAND512R3A2C	文件：1.38089 Mbytes Page：55 Pages	512-Mbit, 528-byte/264-word page, 1.8 V/3 V, SLC NAND flash memories	NUMONYX numonyx	NUMONYX
NAND512R3A2C	文件：674.58 Kbytes Page：51 Pages	512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團	STMICROELECTRONICS
NAND512R3A2CN1	文件：916.59 Kbytes Page：57 Pages	128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories SUMMARYDESCRIPTION TheNANDFlash528Byte/264WordPageisafamilyofnon-volatileFlashmemoriesthatuses theSingleLevelCell(SLC)NANDcelltechnology.ItisreferredtoastheSmallPagefamily.Thedevicesrangefrom128Mbitsto1Gbitandoperatewitheithera1.8Vor3Vvoltagesupp	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團	STMICROELECTRONICS
NAND512R3A2CN1E	文件：916.59 Kbytes Page：57 Pages	128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories SUMMARYDESCRIPTION TheNANDFlash528Byte/264WordPageisafamilyofnon-volatileFlashmemoriesthatuses theSingleLevelCell(SLC)NANDcelltechnology.ItisreferredtoastheSmallPagefamily.Thedevicesrangefrom128Mbitsto1Gbitandoperatewitheithera1.8Vor3Vvoltagesupp	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團	STMICROELECTRONICS
NAND512R3A2CN1F	文件：916.59 Kbytes Page：57 Pages	128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories SUMMARYDESCRIPTION TheNANDFlash528Byte/264WordPageisafamilyofnon-volatileFlashmemoriesthatuses theSingleLevelCell(SLC)NANDcelltechnology.ItisreferredtoastheSmallPagefamily.Thedevicesrangefrom128Mbitsto1Gbitandoperatewitheithera1.8Vor3Vvoltagesupp	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團	STMICROELECTRONICS
NAND512R3A2CN1T	文件：916.59 Kbytes Page：57 Pages	128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories SUMMARYDESCRIPTION TheNANDFlash528Byte/264WordPageisafamilyofnon-volatileFlashmemoriesthatuses theSingleLevelCell(SLC)NANDcelltechnology.ItisreferredtoastheSmallPagefamily.Thedevicesrangefrom128Mbitsto1Gbitandoperatewitheithera1.8Vor3Vvoltagesupp	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團	STMICROELECTRONICS
NAND512R3A2CN6	文件：916.59 Kbytes Page：57 Pages	128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories SUMMARYDESCRIPTION TheNANDFlash528Byte/264WordPageisafamilyofnon-volatileFlashmemoriesthatuses theSingleLevelCell(SLC)NANDcelltechnology.ItisreferredtoastheSmallPagefamily.Thedevicesrangefrom128Mbitsto1Gbitandoperatewitheithera1.8Vor3Vvoltagesupp	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團	STMICROELECTRONICS
NAND512R3A2CN6E	文件：916.59 Kbytes Page：57 Pages	128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories SUMMARYDESCRIPTION TheNANDFlash528Byte/264WordPageisafamilyofnon-volatileFlashmemoriesthatuses theSingleLevelCell(SLC)NANDcelltechnology.ItisreferredtoastheSmallPagefamily.Thedevicesrangefrom128Mbitsto1Gbitandoperatewitheithera1.8Vor3Vvoltagesupp	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團	STMICROELECTRONICS
NAND512R3A2CN6E	文件：1.27065 Mbytes Page：51 Pages	512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories Description TheNANDFlash528Byte/264WordPageisafamilyofnon-volatileFlashmemoriesthat usestheSingleLevelCell(SLC)NANDcelltechnology.ItisreferredtoastheSmallPage family.TheNAND512R3A2C,NAND512R4A2C,NAND512W3A2C,andNAND512W4A2C haveadensityof512Mbi	NUMONYX numonyx	NUMONYX

詳細參數(shù)

型號：
NAND512R3A2C
功能描述：
IC FLASH 512MBIT 63VFBGA
RoHS：
是
類別：
集成電路(IC) >> 存儲器
系列：
-
產(chǎn)品變化通告：
Product Discontinuation 26/Apr/2010
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
136
系列：
- 格式 -
存儲器：
RAM
存儲器類型：
SRAM - 同步，DDR II
存儲容量：
18M（1M x 18）
速度：
200MHz
接口：
并聯(lián)
電源電壓：
1.7 V ~ 1.9 V
工作溫度：
0°C ~ 70°C
封裝/外殼：
165-TBGA
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
165-CABGA（13x15）
包裝：
托盤
其它名稱：
71P71804S200BQ

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	NAND512R3A2CZA6E	STMICRO	24+		1257		詢價
深圳誠思涵科技有限公司	NAND512R3A2CZA6		16+	BGA	2500	進口原裝現(xiàn)貨/價格優(yōu)勢!	詢價
深圳市恒創(chuàng)達實業(yè)有限公司	NAND512R3A2CZA6	ST	17+	BGA	6200	100%原裝正品現(xiàn)貨	詢價
深圳市博浩通科技有限公司	NAND512R3A2CZA	WINBOND	23+	BGA	9960	價格優(yōu)勢/原裝現(xiàn)貨/客戶至上/歡迎廣大客戶來電查詢	詢價
深圳市鑫宇楊電子科技有限公司	NAND512R3A2CZA6E	NUMONYX	2020+	原廠封裝	350000	100%進口原裝正品公司現(xiàn)貨庫存	詢價
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深圳市近平電子有限公司	NAND512R3A2CZA6E	ST	6000	面議	19	DIP/SMD	詢價
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深圳市華睿芯科技有限公司	NAND512R3A2CZA6	ST	23+	BGA	20000	原廠原裝正品現(xiàn)貨	詢價

更多NAND512R3A2C供應(yīng)商更新時間2025-1-25 15:30:00

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